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    超高純水技術在電子業(yè)的使用

    來源: 環(huán)保信息網(wǎng)切記!信息來至互聯(lián)網(wǎng),僅供參考2011-03-28 訪問:

    前言

    我們在為大量電子業(yè)客戶服務過程中發(fā)現(xiàn)電導率已不是判定水質好壞的唯一標準,而應更加注意粒子、二氧化硅對純水水質的影響。

    電子工業(yè)有大量的產品,其范圍從陰極射線管到諸如二極管和晶體管的離散裝置,直至公稱特征尺寸小于0.5μm的最復雜的集成電路。集成電路的生產,特別是現(xiàn)代化的生產,有區(qū)別于任何工業(yè)和應用對高純度水的要求。鍋爐的水質要求是用離子的含量表示的,并未涉及粒子的細菌。但電子工業(yè)需要考慮水的所有污染物,包括離子、有機物、粒子和二氧化硅(HaShimoto等1990)。一般來說,電子工業(yè)用超純水作表面清洗。在集成電路生產過程中,裸露的硅經歷多達30或40道生產工序;在每一道工序中,導電的或絕緣的材料層被加到硅的表面。因此,在下一層加上之前,需用腐蝕性的化學藥品,如硫酸、氫氟酸蝕刻掉表面的一部分。

    為了保證徹底地漂洗和移除硅片表面的化學藥物,在整個化學蝕刻各工序間都需用超純水。其他的電子產品制造過程也包括表面清洗,但集成電路的尺寸大小,以致水中微量的污染物能使硅片表面附上大量雜質,使電路鈍化。諸如鈉離子和氯化物能吸附進電路的某些層內,因而改變了裝置的電特性及最終產品的性質。水中的有機物有表面活性的趨勢,因而向表面遷移,并和表面締合。即使低含量溶解的有機物也能附著在集成電路上,從而破壞后續(xù)層的位置。諸如細菌等粒子的尺寸無疑地能超過更小的集成電路的特性尺寸,從而毀壞附加層,或在相鄰電路間產生電的短路。

    二氧化硅的去除

    二氧化硅具有不同于水中其他無機污染物的性質。二氧化硅是非離子性的物質;在大多數(shù)進料水中,具有可檢出量的濃度。它能以單個分子或聚合成一定分子量的膠體存在。在一定的濃度和PH條件下,二氧化硅會沉淀形成單個粒子。對此單個粒子的去除,IX是無能為力的;但是RO對粒狀二氧化硅的去除是完全有效的,同時也能去除溶解的二氧化硅。

    高純水系統(tǒng)中的問題

    因為RO系統(tǒng)是復雜的,高度工程監(jiān)督的,有運動部件的機械過程,所以它們同所有的設備系統(tǒng)一樣,受制于同樣的缺點。但是,高純系統(tǒng)的某些特性涉及特殊的問題,為了避免對水質 的嚴重的負面影響,在設計和操作階段必須慎審地注意這些特殊的問題。

    1、再污染

    在設計和開始工作階段必須強調這個問題。為了保證良好的性能,組件的制造材料應該在整個加工過程中保持潔凈狀態(tài)。從制造不當?shù)哪ど掀吹袅W邮菢O端困難的。在裝膜之前,應該仔細漂洗RO的管件和壓力容器。添加消毒劑,如過氧化氫,在最初漂洗期間能夠幫助去除這類粒子。當然,如同任何化學試劑一樣,這些氧化劑的濃度應保持低于會使RO單元的結構材料降解的濃度。
    若可能的話,RO單元一經操作,就應保持連續(xù)運作。長時間停工,由于細菌在透過液流道中的大量繁殖而產生粒子聚集。當RO單元重新使用時,產品水的細菌污染將明顯增加,需耗費很多時間沖洗。心要求獲得盡可能好的水質場合,必須將RO產品水返至RO單元入口,以保證系統(tǒng)100%時間操作。同時可以查看中國污水處理工程網(wǎng)更多技術文檔。

    2、膜旁路

    當水通過膜流動,而不是繞過膜流動時,可以體現(xiàn)RO的許多優(yōu)點。在關注去除離子物質的場合,膜旁路會降低產品水的質量,增加精處理工序的費用。這尚不是嚴重的問題。然而,RO用作減少粒子的場合,特別是半導體制造中,旁路問題便是一個嚴重的問題了。在即使只有很小量的水發(fā)生膜旁路的情況下,產品水中的粒子濃度也會增加許多倍。

    膜旁路主要由兩個條件導致。第一,是膜片之間縫隙密封不嚴,它使進料水不首先通過膜而由膜片之間的咸水側流入透過液流道。這種情況較少見,最常見的是由產品水返回流入膜間的透過液隔網(wǎng)的透過水的流動造成的。若有足夠的壓力發(fā)生此回流,則膜間的縫隙將爆裂。若該回流是明顯的,并影響許多組件,則組件性能的下降會立即顯現(xiàn)出來。雖然縫隙受到破壞會發(fā)生這種情況,但是除非仔細監(jiān)控RO單元,否則使用者覺察不出。
    能夠發(fā)生這類情況的原因如下。當RO單元的透過液排入位于較高高度的貯藏時,貯藏中水的位頭能有足夠的壓力引起回流,即可破壞膜間的縫隙。通常在RO透過液的排放處安裝單向閥;但是有時即使加單向閥,正常操作還是常遭破壞,結果會使大量的透過液泄漏,從而損害組件。

    引起膜旁路的最常遇到的問題是O形密封環(huán)的泄漏。每個膜單元的兩端都有用O形環(huán)密封的連接器。這是一個經濟的密封方法,在合適的情況下是十分有效的。但是,為了使O形環(huán)密封嚴格,密封的部件必須是靜止固定的,但在RO壓力容器中,這不容易作到,當泵啟動時,壓力容器中的壓力增加,容器拉伸。同時,由于在咸水流道中水流動的拖曳,所有有力作用在膜單元上。由此引起膜單元在咸水流動方向上移動。

    3、結論

    高純水生產,必須嚴格控制粒子、細菌和TOC含量是應用的關鍵過程。RO膜的質量必須不斷改進,工程公司必須加強對RO及超高純水系統(tǒng)的應用、設計和操作更多的了解。?


    污水處理技術 污水處理工藝 污染治理
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